pid效应效应是电池组件的封装材料和其上表面及下表面的材料，电池片与其接地金属边框之间的高电压作用下出现离子迁移，而造成组件性能衰减的现象。

lid效应是晶体硅电池初始光衰的主要因素，一般发生在p型掺硼硅片制作的电池产品中，但在近年来研究发现，P型掺镓硅片也有BO-LID现象。常情况下，只要光伏组件暴露在阳光下就会发生LID，在短时间(几天或几周)内就能达到饱和衰减。行业对于LID的研究也已经非常充分，产生机制也获得一致认可，主要是硅材料内的硼氧缺陷导致。