DRAM

组成：采用MOS管的栅电容（分布电容）来存储数据，用动态存储单元构成的储存器称为动态存储器。

优点：所用元件少，集成度高，功耗低，便于大规模集成

缺点：

1、需要定期刷新，外围电路比较复杂

2、刷新器件不能进行读写操作，使有效利用时间受到限制