砷As，硼B，砷化硼为BAs，2018年科学家首次实验合成了一种新的化合物单晶体——砷化硼（BAs），其无缺陷晶体的热传导极限达到1300 W/mK，超出所有常见的金属和半导体，砷化硼是近期受到广泛关注一种III-V半导体材料。研究表明，砷化硼具有可媲美金刚石的超高热导率（~1300 Wm-1K-1），同时具有本征p型导电特性，并且可以长成毫米级的单晶。目前人们对砷化硼的基本物理性质已经开展了较为广泛的研究。然而，从光电器件应用考虑，不论作为功能薄膜还是衬底，砷化硼都必须与其他半导体材料形成异质结，因此考察其异质结相关特性十分重要。
硼化砷概念
硼化砷具有高电子和空穴迁移率，具有理想半导体所需的所有主要品质。硼化砷是华人科学家发现迄今为止“最佳半导体材料”，这种材料有一个非常好的带隙（能系，泛指半导体或绝缘体的价带顶端至导带底端的能量差距），这一特性赋予了它作为半导体材料的巨大潜力。
硼化砷概念
通过飞秒检测发现，砷As，硼B，砷化硼为BAs，2018年科学家首次实验合成了一种新的化合物单晶体——砷化硼（BAs），其无缺陷晶体的热传导极限达到1300 W/mK，超出所有常见的金属和半导体。由于计算机芯片独特的结构和热性能，集中在计算机芯片热点中的热很快就会消散并被排走。这种新材料的导热率是碳化硅和铜的三倍，是目前在导热行业中使用的最好材料。
